一.紅左 ，黑中、右無窮大黑左 ，紅中 、右無窮大紅中，黑右無窮大；黑中紅右顯示530（左右）。其實場效應管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G 、D、S，有些管相反：S、D 、G 。我修顯示器 、主板、電源都是從上面的方法測絕對沒問題 。你不信隨便拆塊板看一看 ，場效應管在電路圖板的布局及應VMOS大功率場效應晶體管的檢測。
二．1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔 ，測量場效應晶體管任意兩引腳之間的正 、反向電阻值 。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆，這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ，而另一引腳為柵極G 。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳（掘薯扒漏極D與源極S）之間的正 、反向電阻值。正常時 ，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ 。在測量反向電阻值時 ，紅表筆所接引腳不動 ，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳 ，觀察萬用表讀數(shù)的變化情況 。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S ，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效 ，說明該管為N溝道場效應管 。若萬用表讀數(shù)仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳 ，若此時萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)? ，則此時黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ，說明該管為P溝道場效應晶體管。
2．判別其好壞 。用萬用表R×1k檔或R×10k檔 ，測量場效應管任意兩腳之間的正、反向電阻值 。正常時，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D 、G與S）的正 、反向電阻值均應為無窮大。若測得某判昌兩極之間的電阻值接近0Ω ，則說明該管已擊穿損壞 。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場效應手逗晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場效應管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應管是否損壞 。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后 ，D、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內有15伏電池.可提供導通電壓.2因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。
萬用表檢畝蠢困測MOS管好壞mos管檢測好壞視頻的簡便方法
1.用黑表筆接在D極上mos管檢測好壞視頻 ，紅表筆接在S極上 ，一般有一個500-600mos管檢測好壞視頻的阻值
2.在黑表筆不動的前提下，用紅表筆點一下G極，然后再用紅表筆測S極 ，就會出現(xiàn)導通
3.紅表筆接D極 ，黑檔槐表筆點一下G極后再接S極，測得的阻值和1測的是一樣的則迅念說明MOS管工作正常
以N溝道MOS場效應管5N60C為例mos管檢測好壞視頻 ，來詳細介紹一下具體的測量方法 。
1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法
2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極 。
測量5N60C好壞時mos管檢測好壞視頻 ，首先將萬用表量程開關調至二極管檔mos管檢測好壞視頻，將5N60C的G極懸空 ，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ，若是好的管子，萬用表顯示為“OL ” ，即溢出（見上圖）。
3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極 。
然后調換紅黑表筆 ，再去測量D-S兩極，則萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降（見上圖） 。
若MOS場效應管內部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞 ，用二極管檔測量時 ，萬用表顯示的讀數(shù)接近于零。
4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電 。對于N溝道MOS場效應管充電時，紅表筆應接管子的G極，黑表筆接管子的S極 。
在測量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實是好的之后 ，然后用二極管檔給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電。
由于MOS場效應管的簡裂前輸入電阻在GΩ級（GΩ讀作吉歐，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8～3V ，故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場效應管D-S兩極之間的電阻變得很小 ，故用這個方法可以測量場效應管G-S兩極之間是否損壞 。
5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ，用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω 。
6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。
上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數(shù)據(jù) 。對于P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調換一下極性 。
擴展資料mos管檢測好壞視頻：
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管 ，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的 ，mos管檢測好壞視頻他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的 ，即使兩端對調也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認為是對稱的 。
場效應管（FET） ，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。市面上常有攔清的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管） 。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流 。事實上沒有電流流過這個絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小 。
最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管 ，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET） 。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極源春型晶體管 。
測電阻法檢測MOS管是用萬用表測量MOS管的源極與漏極 、柵極與源極、柵極與漏極 、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同MOS管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔 ，測量源極S與漏極D之間的電阻 ，通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知，各種不同型號的管 ，蘆薯其電阻值是各不相同的) ，如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良;如果測得阻值是無窮大 ，可能是內部斷極 。然后把萬用表置于R×10k檔 ，再測柵極G1與G2之間 、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大 ，則陪御者說明管是正常的;若測得上述各拆神阻值太小或為通路 ，則說明管是壞的 。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。
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